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拉晶過程全程自動化
在惰性氣體環境中，用石墨加熱器將硅材料熔化，
用直拉法生長無位錯單晶的設備。
性能優勢
設備主體結構優化，提高了整機穩定性。
具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。
采用新型隔離閥。
液面高度監控系統。
高精度傳動機構。
雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。
如需獲取6寸半導體級單晶爐具體數據，請向漢虹銷售工程師咨詢溝通。
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